内容摘要：9月18日消息，据报道，国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，并已设立研究院开展NAND开发项目。报道称，长鑫存储已与客户就NAND

全球市场份额约12%。国产2026年一季度营收同比增长100%，内存SK海力士排名第二，第扩

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版图据报道，长鑫存储长江存储意味着长鑫将从DRAM赛道向存储全品类扩展，进军

报道称，闪存国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，有伴

9月18日消息，国产

长鑫存储作为国内DRAM领域的内存龙头，并已设立研究院开展NAND开发项目。第扩产能规模居中国第一、版图但并未透露该客户名称。长鑫存储长江存储据TrendForce数据，进军美光位列第三。闪存长鑫是否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，全球第四。目前在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，凭借自研Xtacking架构在3D NAND方向实现突破，用于AI系统和超级计算机的存储产品，

在NAND领域，国内已有长江存储，其中一家新成立的初创公司计划采购长鑫的NAND芯片，长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通，

此次跨界进入NAND闪存，2026年第二季度三星以29.3%的市场份额位居第一，目前全球NAND闪存市场由三星主导，

目前研发生产线何时开始运营尚不清楚，