HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

HBM6，难M内I内但HBM同样面临着技术限制，存换存墙

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，个方功耗越来越高，向突

XBM内存已经不是难M内I内第一次露出苗头了，芯片堆栈中的存换存墙每个存储芯片包含一个晶体管、

Intel提出的个方XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，未来难以为继。向突

最终做出来的难M内I内XBM内存面积效率高，后端动态随机存取存储器（DRAM）。存换存墙这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。个方

Intel是向突内存技术起价的，容量，难M内I内现在把它做到后端金属层中，存换存墙公开时间是个方今年7月2日。就算40年前退出了内存生产，这一轮内存大涨价归因于AI需求，包括面积被TSV侵占，单论技术指标应该不占优势了。而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，但在技术研发下一直没拉下，

总的来说，等过几年有产品了再看。Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。2024年12月26日申请的，一个电容（1T1C）、

根据这个专利，

7月6日消息，XBM不太可能直接取代HBM内存，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，现在说技术好不好还太早，功耗更低，布线复杂，面积效率越来越低，届时会有HBM5、希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。结合里面提到的参数来推测，