HBM混合键合凉了！三星、SK海力士急刹车：HBM4用不上 HBM5也悬

而HBM3E标准厚度为720微米，混合键合凉K海混合键合的力士无凸点减薄优势不再紧迫。

散热问题也有了更简单的急刹替代方案。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，用不也悬三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，混合键合凉K海据报道，力士可从堆叠内部带走热量。急刹然而，用不也悬两家公司正重新评估采用混合键合的混合键合凉K海时机，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。力士无需使用凸点，急刹即使到HBM4E阶段，用不也悬JEDEC正在讨论将HBM5的混合键合凉K海厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。不过混合键合的力士研发并未停滞。短期内混合键合不会大规模部署，急刹当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。

业内判断，行业分析师指出，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。HBM4已放宽至775微米。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。